Войцеховская О. Н. Теория спектра квазичастиц, взаимодействующих с фононами в многозонных системах разной размерности

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U003187

Облікова картка дисертації

0496U003187.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

24-10-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Плоские и сферические наногетеросистемы. Цель исследования: Получение электронного и фононного спектров и электрон-фононного взаимодействия. Методы исследования и аппаратура: Теория возмущений, вариационный метод, ЭОМ. Теоретические результаты и новизна: Спектр электрона в плоской и электрон-фононное взаимодействие в сферических системах. Практические результаты и новизна: Теоретическое обоснование экспериментальных данных и понимание физических процессов в размерноограниченных системах. Предмет и степень внедрения: Методика расчета спектров квазичастиц в наногетеросистемах. Эффективность внедрения: Объяснение нестабильного поведения физических характеристик в плоских и сферических системах. Сфера (область) использования: Физика низкоразмерных систем.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах