Орлецкий И. Г. Особенности поведения марганца и гадолиния в узкозонных тетраедрических полупроводниках

Объект исследования: Полупроводниковые твердые растворы HgMgТе, соединения InSb<Gd,MnЮ>. Цель исследования: Разработка технологических условий получения ускозонных полупроводников HgMgТе, InSb<Gd,Mn> и изучение влияния Mn и Gd на их физические свойства. Методы исследования и аппаратура: Комплексные исследования на современных компьютеризированных установках. Теоретические результаты и новизна: Обоснована сущность явлений, обусловленных Mn и Gd новых полупроводниках HgMgMnTe и InSb<GdMn>. Практические результаты и новизна: Функциональные возможности изученных полупроводников разрешают создавать на их основе сверхрешеток, магнитоуправляемых датчиков температуры и магнитомодуляторов. Предмет и степень внедрения: Методика изгтовления магниторегулируемых электронных приборов. Эффективность внедрения: Оптимизированы магнитополевые и температурные интервалы работы приборов на основе HgMgMnTe, InSb<GdMn>. Сфера (область) использования: Полупроводниковое приборостроение.