Паранчич Ю. С. Новые полумагнитные полупроводники Мх, Нg1-х, Se, /М-Сr, Со/, получение и их о сновные свойства

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U003189

Облікова картка дисертації

0496U003189.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-10-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Полумагнитные полупроводники Сrх ,Hg1-х,Se, Co, Hg1-х, Se. Цель исследования: Проведение комплексных исследований физических свойств монокристаллов. Методы исследования и аппаратура: Исследование осциляций Шубникова де Гааза, спектров электронного спинового резонанса на современном оборудовании. Теоретические результаты и новизна: Теоретически обоснованы модельные представления явлений, обусловленных наличием хрома и кобальта в НgSe. Практические результаты и новизна: Создание предусловий для разработки приемников, магниторегулируемых приборов, модуляторов. Предмет и степень внедрения: Представлены материалы для ИК техники. Эффективность внедрения: Улучшение характеристик полученных приборов. Сфера (область) использования: Полупроводниковое приборостроение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах