Бокотей А. А. Явления переноса и динамика решетки при фазовых переходах в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа Sn2P2S6

Объект исследования: Кристаллы типа Sn2P2S6 и твердые растворы на их основании. Цель исследования: Изучить температурную зависимость теплопроводности, электропроводности и комбинационного рассеяния света фононами в кристаллах системы Sn(Pb)2P2S(Se)6. Методы исследования и аппаратура: Методы стационарного продольного теплоалого потока (установка ТАУ-2), спектроскопия комбинационного рассеяния света /ДФС-24/. Теоретические результаты и новизна: Установлена взаимосвязь аномалий кинетических, термодинамических и динамических свойств кристаллов в окресности структурного фазового перехода. Практические результаты и новизна: Получены электродинамические и теплофизические характеристики сегнетоэлектрических кристаллов будут использованы при разработке пиро- и пьезоэлектрических элементов. Предмет и степень внедрения: Пироэлектрические и пьезоэлектрические элементы, емкостные термометры. Сфера (область) использования: Твердотельная полупроводниковая электроника.