Мединский С. В. Эффекты обменного взаимодействия в кристаллах, тонких слоях и квантовых структурах на основе полумагнитных полупроводников

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U004064

Облікова картка дисертації

0496U004064.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-06-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Объемные полумагнитные полупроводники, тонкие шары и квантовые структуры на их основе. Цель исследования: Исследование свойств полумагнитных П/П при уменьшении их пространственной размерности. Методы исследования и аппаратура: Спектроскопия, магнитоспектроскопия, низкие температуры. Теоретические результаты и новизна: Расширение физического понимания о взаимовлиянии обменных взаимодействий и квантово-размерного эффекта. Практические результаты и новизна: Оптимизированный химический и компонентный состав активного элемента для датчиков магнитного поля. Предмет и степень внедрения: Датчики магнитного поля. Эффективность внедрения: Увеличение частотного диапазона сенсоров магнитного поля. Сфера (область) использования: Полупроводниковое приборостроение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах