Воловичев И. Н. Транспортные процессы в нетрадиционных полупроводниках и полупроводниковых труктурах

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U004076

Облікова картка дисертації

0496U004076.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-03-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 02.11.01

Анотація

Объект исследования: Гетероструктуры собственных полупроводников. Цель исследования: Теоретическое исследование транспортных явлений в гетероструктурах полупроводников со стехиометрическими вакансиями. Методы исследования и аппаратура: Методы теоертической и математической физики. Теоретические результаты и новизна: Предсказаны новые эффекты в средах с отрицательной проводимостью. Практические результаты и новизна: Получен ряд результатов, которые могут иметь значение для создания радиационно стойкой электроники. Сфера (область) использования: Исследование транспортных явлений, разработка радиационно стойких полупроводниковых устройств.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах