Кудин А. М. Роль активаторных дефектов в изменении структуры и сцинтилляционных свойств кристаллов NaL(TL)

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U004160

Облікова картка дисертації

0496U004160.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-03-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 02.11.01

Анотація

Объект исследования: Диэлектрические кристаллы NaI и NaI(TL). Цель исследования: Изучение растворимости TLI в NaI, природы послесвечения механизма ухудшения спектрометрического качества кристаллов. Методы исследования и аппаратура: Сцинтилляционные, термолюмнисцентные, спектрально-кинетические, рентгеноструктурные, электронно-микроскопические. Теоретические результаты и новизна: Предложен механизм концентрированного тушения ветового выхода. Практические результаты и новизна: Доказано, что спектрометрическое качество кристаллов улучшается при увеличении содержания активатора и его равновесном распределении. Предмет и степень внедрения: А.С., внедрено в производство. Эффективность внедрения: Временно не используется. Сфера (область) использования: Физика полупроводников и диэлектриков, рост кристаллов.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах