Клецкий С. В. Исследование процессов переноса в неоднородных твердых растворах АПВVI

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U000657

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-08-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 50.07.01

Анотація

Объект исследования: Гетеропереходы, варизонные структуры. Цель исследования: Определение профиля состава, коэффициентов диффузии и поглощения. Методы исследования и аппаратура: Численные методы, ЭВМ. Теоретические результаты и новизна: Определены параметры твердых растворов, коэффициенты диффузии и поглощения - впервые. Практические результаты и новизна: Предложена конструкция фоточувствительных в инфракрасном диапазоне спектра полупроводниковых структур - впервые. Предмет и степень внедрения: Многоэлементные инфракрасные фотоприемники - в стадии изготовления в ИФП НАНУ. Эффективность внедрения: Оптимизация параметров инфракрасных фоточувствительных структур. Сфера (область) использования: Фотоэлектроника.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах