Копишинская Е. П. Модификация структуры и фотоэлектрических свойств твердых растворов СdxHg1-xTe при наносекундном лазерном облучении

Объект исследования: Кристаллы, эпитаксиальные и поликристаллические пленки твердых растворов СdHgTe различного компонентного состава. Цель исследования: Изучение закономерностей лазерного дефектообразования в соединениях СdHgTe и возможностей направленного изменения их свойств фотопроводимости (стационарной и импульсной). Методы исследования и аппаратура: Электрофизические, рентгеновские, электронный микроскоп, лазер. Теоретические результаты и новизна: Определение механизмов дефектообразования и причин повышения чувствиельности, 1/f-шума в СdHgTe при получении. Практические результаты и новизна: Установлены режимы наносекундной обработки для повышения чувствительности эпитаксиальных слоев и оптимизации параметров приповерхностной области кристаллов. Предмет и степень внедрения: Публикации в научных изданиях и в материалах конференций. Эффективность внедрения: Фоточувствительность возрастает в 10-30 раз, скорость рекомендации падает в 10 раз. Сфера (область) использования: В производстве полупроводников.