Ящинский Л. В. Исследование кинетических эффектов в многодолинных полупроводниках при упругой деформации

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U001126

Облікова картка дисертації

0497U001126.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

07-06-1997

Спеціалізована вчена рада

К 35.02.01

Анотація

Объект исследования: Кристаллы кремния и германия. Цель исследования: Разработка и оценка границ применения методов корректного вычисления основных параметров полупроводников. Методы исследования и аппаратура: Одноосная упругая деформация ОУД, магнитные, фотоэлектрические. Теоретические результаты и новизна: Выявлены изменения температурной зависимости пьезосопротивления в германии, границы применения тензоисследований для вычисления параметров п/п. Практические результаты и новизна: Установлен способ управления влиянием неоднородностей на кинетические коэффициенты в германии. Предмет и степень внедрения: Усовершенствованы тензодатчики, полупроводниковые элементы. Эффективность внедрения: Разработан способ увеличения надежности п/п элементов и тензодатчиков. Сфера (область) использования: Производство п/п элементов и приборов.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах