Кильчицкая В. И. Исследование электрофизических свойств и радиационных эффектов в структурах кремния-на-изоляторе

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U001601

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

22-09-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 01.01.17

Анотація

Объект исследования: Структуры кремния-на-изоляторе. Цель исследования: Определение электрических параметров структур кремния-на-изоляторе, исследование возможных методов ослабления накопления заряда во внутренних диэлектриках при облучении. Методы исследования и аппаратура: Вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики, динамическая крутизна, токи термостимулированной поляризации/деполяризации. Практические результаты и новизна: ВЧ плазменная обработка позволяет значительно ослабить накопление заряда в толтом внутреннем окисле КНИ структур; метод зонной лазерной перекристаллизации поликремния позволяет создавать КНИ структуры с многослойными внутренними диэлектриками, которые по своим электрическим свойствам не уступают структурам с внутренним окислом. Предмет и степень внедрения: Внутренний многослойный диэлектрик, ВЧ плазменная обработка. Сфера (область) использования: Микроэлектроника.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах