Трифаненко Д. Н. Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниковых материалах

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U001914

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

31-10-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Анотація

Объект исследования: Полумагнитные полупроводники. Цель исследования: Изучение магнетооптических явлений и сверхобменных взаимодействий. Методы исследования и аппаратура: Теория кристаллического поля, теория групп. Теоретические результаты и новизна: Расчет спектральной, магнетополевой и температурной зависимости угла Фарадея и сверхобменных взаимодействий. Практические результаты и новизна: Возможность использования теоертических результатов для объяснения экспериментальных данных для угла Фарадея в полумагнитных полупроводниках. Предмет и степень внедрения: Теоретические разработки спектральной зависимости угла Фарадея в полумагнитных полупроводниках. Эффективность внедрения: Нахождение спектральной зависимости и констант сверхобменных взаимодействий в полумагнитных полупроводниках. Сфера (область) использования: Оптоэлектронные приборы.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах