Савицкий Д. И. Кристаллическая структура, ориентационные состояния и свойства редкоземельных галлатов

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U002066

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

03-12-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 04.04.08

Анотація

Объект исследования: Кристаллы галлатов неодима и лантана. Цель исследования: Установление кристаллической и доменной структуры ортогаллатов неодима и лантона, исследование их физических свойств. Методы исследования и аппаратура: Теоретические расчеты, микроскоп "Neophot", спектрофотометры "Specorrd M-40", "Hitachi-340", "Bomem-DА3", микрорентгеноанализатор. Теоретические результаты и новизна: Определены возможные ориентации доменов и границ между ними в классе материалов GdFeO3. Обнаружены W-доменные граници и перпендикулярные к ним S-стенки. В NdGaO3 установлен фазовый переход в области 195-230 К. Практические результаты и новизна: Методика определения ориентации доменных стенок вв прозрачных сегнетоэлектрических кристаллах. Предмет и степень внедрения: Использование "биокристаллических" подложек NdGaO3 с W-доменнными стенками в качестве границ раздела. Эффективность внедрения: Предложено использование бикраисталлических подложек для формирования Джозефсоновских переходов. Сфера (область) использования: Кристаллофизика, материаловедение.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах