Выграненко Ю. К. Влияние примесей галлия и иттербия на электрические и фотоэлектрические свойства теллуридов свинца-олова-германия

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U002071

Облікова картка дисертації

0497U002071.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

12-12-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Анотація

Объект исследования: Узкощелевые А4В6 соединения. Цель исследования: Определение основных электрических и фотоэлектрических параметров и возможностей практического использования материала. Методы исследования и аппаратура: Электрические, магнитные и фотоэлектрические исследования; установка Холла, магнитометр, монохроматор, гелиевый криостат. Теоретические результаты и новизна: Установлены параметры примесных состояний Ga и Yb в кристаллах Pb1-xSnx и Pb1-xGexTe. Практические результаты и новизна: Определены технологические условия получения легированных Ga и Yb кристаллов Pb1-xSnxTe и Pb1-xGeTe. Предмет и степень внедрения: Фоточувствительный материал для детекторов инфракрасного излучения. Эффективность внедрения: Возможность разработки фотоприемников с высокой обнаружительной способностью. Сфера (область) использования: Полупроводниковая оптоэлектроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах