Закордонец В. С. Предельная термоэлектрическая добротность кристаллических полупроводниковых материалов

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U004023

Облікова картка дисертації

0497U004023.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

12-12-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Кристаллические полупроводниковые термоэлекрические материалы. Цель исследования: Определение предельной термоэлектрической добротности. Методы исследования и аппаратура: Метод кинетической теории, использование ЭВМ. Теоретические результаты и новизна: Развита теория термоэлектрического преобразования энергии в кристаллических полупроводниковых материалов. Практические результаты и новизна: Выявлены параметры, которые позволяют управлять величиной термоэлектрической добротности. Предмет и степень внедрения: Установлено ограничение на величину термоэлектрической добротности. Эффективность внедрения: Оптимизация синтеза термоэлектрических материалов. Сфера (область) использования: Физика полупроводников, материаловедение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах