Рогозин И. В. Структура и инжекционная электролюминесценция гетероперехода ZnO-Zn,Se полученного методом радикально-лучевой гетерирующей эпитаксии

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U004056

Облікова картка дисертації

0497U004056.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-11-1996

Спеціалізована вчена рада

К 08.04.01

Анотація

Объект исследования: Гетероструктуры. Цель исследования: Исследование физики формирования переходного слоя структур. Методы исследования и аппаратура: Рентгеновский, электронно-микроскопический, Оже-электронная микроскопия, фотоэлектронная микроскопия. Теоретические результаты и новизна: Новые представления о закономерностях переходных слоев. Практические результаты и новизна: Методика получения излучающих структур на основе низкоомного селенида цинка. Предмет и степень внедрения: Режимы получения излучающих структур. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах