Качер И. Э. Особенности формирования и основные физические свойства пленок CdGa2S(Se)4

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U004096

Облікова картка дисертації

0497U004096.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

28-11-1996

Спеціалізована вчена рада

К 15.01.05

Анотація

Объект исследования: Вакуумные конденсаты соединений тетратио (селен) дигаллатов кадмия. Цель исследования: Разработка технологии. Методы исследования и аппаратура: Электронная микроскопия, лазерное и дискретное термическое напыление, компьютерное моделирование, локальный рентгеноспектральный анализ. Теоретические результаты и новизна: Расширеным методом Хюккеля расчитано структуру переходного слоя. Практические результаты и новизна: Разработаны два способа населения тонких слоев. Предмет и степень внедрения: Программа расчета двухслойных покрытий на п/я А-1815. Сфера (область) использования: Микроэлектронная технология.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах