Мясоедов Ю. Н. Влияние дефектов на электрофизические и магнитные свойства ртутьсодержащих металлооксидных купратов

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U004123

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-12-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 04.04.08

Анотація

Объект исследования: Первый и третий члены гомогологического ряда ртутьсодержащих металлооксидных купратов. Цель исследования: Влияние дефектов замещения и внелрения на электрофизические и магнитные свойства. Методы исследования и аппаратура: Потенциалы Маделунга, автоматизированный мост Хартшорна, Фарадея. Теоретические результаты и новизна: Установление корреляций между Тс и степенью кислородных позиций. Практические результаты и новизна: Построение Н-Т диаграммы состояния, разработка технологии синтеза. Предмет и степень внедрения: Планируется внедрение в малосерийное производство. Сфера (область) использования: Элементы электронной техники.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах