Колинько Н. И. Зонная структура и оптические свойства иодида индия

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U004395

Облікова картка дисертації

0497U004395.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

09-04-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 04.04.08

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы иодида индия. Цель исследования: Исследование механизмов физических процессов в сильноанизотропных низкоразмерных полупроводниках. Методы исследования и аппаратура: Зонно-энергетический рассчет и оптико-спектральные, фотоэлектронные, рентгеноструктурные и нелинейно-оптические методы. Теоретические результаты и новизна: Аналитические выражения для секулярного уравнения, зонная диаграмма иодиди индия. Практические результаты и новизна: Методика рассчетов зонно-энергетических и оптоэлектронных параметров кристаллов, неразрушающие оптические методы контроля качества монокристаллических образцов InI. Предмет и степень внедрения: Метод определения зонного спектра и функций плотности. Предполагается внедрение в учебный процесс и в дальнейшие научные исследования. Сфера (область) использования: Физика полупроводников, материаловедение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах