Ненчук Т. Н. Электронно-эмиссионная спектроскопия поверхностей слоистых полупроводников типа А3И6 и кремния

Объект исследования: Монокристаллы слоистых полупроводников селепидов индия, галлия, таллия и кремния. Цель исследования: Электронно-эмиссионная спектроскопия поверхностей кристаллов: атомарно-чистых, полученных скалыванием в сверхвысоком вакууме, и реальных. Методы исследования и аппаратура: Оже-, экзоэлектронная-, масс- спектроскопия. Установка 09ИОС2, МХ7304А. Теоретические результаты и новизна: Особенности адсорбционной активности слоистых кристаллов; дефектная структура, релаксационные процессы на поверхности и в приповерхностном слое кристаллов. Практические результаты и новизна: Полупроводниковые материалы для газовой сенсорики, неразрушающий контроль дефектов приповерхностного слоя кристаллов. Предмет и степень внедрения: Исследование междуфазных границ твердое тело-газовая фаза. Планируется внедрение в учебный процесс и в дальнейшие научные исследования. Сфера (область) использования: Физика поверхности полупроводников, материаловедение.