Ничий С. В. Получение пленок и отжиг твердых растворов CdxHg1-xSe с помощью лазерного излучения

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U004661

Облікова картка дисертації

0497U004661.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-06-1997

Спеціалізована вчена рада

Д 07.01.06

Анотація

Объект исследования: Термически отожженные и облученные материалы и пленки. Цель исследования: Закономерности оптических свойств материалов, обусловленных внешними факторами, разработать методику получения пленки. Методы исследования и аппаратура: Рентгенографические, оптические, электрофизические, лазеры, ЭВМ. Теоретические результаты и новизна: Установлены закономерности технологических режимов получения пленок и воздействия лазерного облучения на материалы. Практические результаты и новизна: Разработана методика получения пленок, предложены оптимальные режимы отжига материалов. Предмет и степень внедрения: Внедрение метода получения пленок. Эффективность внедрения: Уменьшение энергозатрат, улучшение оптических свойств материалов, получение пленок. Сфера (область) использования: Технология полупроводниковых материалов.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах