Маслова О. В. Магнитооптические свойства обработанных гранатовых структур

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U004775

Облікова картка дисертації

0497U004775.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-06-1997

Спеціалізована вчена рада

К 08.04.01

Анотація

Объект исследования: Кристаллы и пленки граната. Цель исследования: Исследование влияния облучения, высокотумпературного отжига и магнитного поля на оптические свойства граната. Методы исследования и аппаратура: Абсорбционная и люминисцентная спектроскопия, рентгеноструктурный анализ спектров Фарадеевского вращения. Теоретические результаты и новизна: Новые электронные переходы между валентной зоной подрешетки ионов кислорода и акцепторными уровнями 0 в степени + и 0 в степени 2+. Практические результаты и новизна: Способ хранения и записи информации на ферит-гранатах вУФ и дальнем ИК диапазонах. Предмет и степень внедрения: Патенты Украины N15385, N15386 способ обработки ферит-гранатовой пленки - внедрено. Эффективность внедрения: Повышенная прозрачность от 20%- до 80%. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника, информационные среды.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах