Захарьяш А. С. Влияние структурных дефектов на формирование теплофизических свойств монокристаллов Hg1-xCdxTe

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0498U000859

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-04-1998

Спеціалізована вчена рада

Д 04.04.08

Анотація

Объект исследования: Твердые растворы Hg1-xCdxTe. Цель исследования: Установить закономерности влияния дефектов и примесей на формирование теплофизических свойств твердых растворов Hg1-xCdxTe. Методы исследования и аппаратура: Теоретические расчеты, калориметр, микроскоп "Neophot", масэнергоанализатор ЭМАЛ-2. Теоретические результаты и новизна: Установление значения оптимального температурного перепада при измерениях теплопроводности. Выявлены аномалии теплофизических параметров кристаллов Hg1-xCdxTe. Практические результаты и новизна: Методика прецизионного измерения теплофизических параметров кристаллов Hg1-xCdTe в широком интервале температур, включая и температуру плавления. Предмет и степень внедрения: Использование разработанных методик для исследования теплофизических свойств сложных полупроводниковых сплавов. Эффективность внедрения: Оригинальные методики синтеза и выращивания могут быть использованы для получения качественных кристаллов сложных полупроводников. Сфера (область) использования: Материаловедение.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах