Кошман А. . Исследование процессов влияния атомарного водорода на электрическую прочность кремниевых р-п переходов и на границу раздела кремний - диоксид кремния

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0498U001099

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

14-05-1998

Спеціалізована вчена рада

К 08.04.01

Анотація

Объект исследования: Кристаллы кремния, структуры кремний-диоксид кремния, диодные структуры на базе кремния. Цель исследования: Выяснение механизмов процессов влияния атомарного водорода на кремний и кремниевые структуры. Методы исследования и аппаратура: Высокочастотные ВФХ, ВАХ, метод инжекции-экстракции, интерференционные методы, мат.модел. Теоретические результаты и новизна: Получены новые оригинальные результаты взаимодействия атомарного водорода с решеткой, дефектами и примесями в кристаллах кремния. Предмет и степень внедрения: Созданы предпосылки для разработки и внедрения новых высоких технологий микроэлектроники. Сфера (область) использования: Предприятия электронной промышленности.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах