Птащенко Ф. А. Пространственные неоднородные рекомбинационные процессы и поляризация излучения в лазерных гетероструктурах на основе GaAs-AlGaAs

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0498U001594

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-06-1998

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Объект исследования: Лазерные гетероструктуры на основе GaAs-AlGaAs. Цель исследования: Установление механизмов пространственно-неооднородных рекомбинационных и поляризационных явлений в диодных лазерах с полосковой геометрией. Методы исследования и аппаратура: Измерени наносекундной кинетики электролюминесценции, поляризации ближнего и дальнего полей излучения, влияния одноосного давления и температуры на поляризацию излучения. Теоретические результаты и новизна: Разработаны модели поверхностной туннельной рекомбинации, избыточной поляризации, кинетики электролюминесценции, астигматизма и деградации. Практические результаты и новизна: Предложены сенсоры давления и температуры, методики определения параметров неоднородности лазерной гетероструктур. Предмет и степень внедрения: Методики оценки неоднородностей внедрены для оценки качества лазеров. Эффективность внедрения: Результаты внедрены в лабораторных исследованиях для прогнозирования деградации лазеров. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника, лазерная техника, технология полуповодниковых лазеров.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах