Павлишин О. . Термофоторезистивный эффект для микроэлектронных сенсоров

Объект исследования: Полупроводниковые слоистые кристаллы InSe, термофоторезистивный эффект - создание микроэлектронных сенсоров. Цель исследования: Теоретическое изучение и экспериментальное исследование термофоторезистивного эффекта в полупроводниках, создание приборов функциональной электроники на его базе. Методы исследования и аппаратура: Моделирование термофоторезистивного эффекта, разработка методики исследования, исследование свойств полупроводников, создание приборов функциональной электроники. Теоретические результаты и новизна: Выведено уравнение термофотопроводимости, исследовано свойства полупроводников методом комбинированного термо- и фотовозбуждения. Практические результаты и новизна: Разработаны приборы функциональной электроники на базе термофоторезистивного эффекта. Предмет и степень внедрения: Разработан сенсор частоты следования оптических импульсов, разработан сенсор модулированного по интенсивности инфракрасного излучения, опытные образцы. Эффективность внедрения: Улучшены характеристики приборов функциональной электроники за счет использования термофоторезистивного эффекта. Сфера (область) использования: Во ЛНИРТИ и ЛНИИ "Еротрон".