Федонюк А. А. Получение и физические свойства монокристаллов Тд3РbГ5(Г-Cl,Br,I)

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0498U001882

Облікова картка дисертації

0498U001882.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

09-07-1998

Спеціалізована вчена рада

К 32.051.05

Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки

Анотація

Объект исследования: Монокристаллы Tl3PbГ5(Г-Cl,Br,I). Цель исследования: Определение параметров кристаллов Tl3PbГ5(Г-Cl,Br,I) и построение моделей оптически активных центров. Методы исследования и аппаратура: Оптические, электрические, фотоэлектрические. Теоретические результаты и новизна: Предложена модель центров примесного поглощения в Tl3PbГ5 и установлено явление рентгенолюминесценции. Практические результаты и новизна: Предложен способ получения Tl3PbГ5 по Бриджмену. Предмет и степень внедрения: Предлагается в качестве датчиков высокоэнерг. лучей. Эффективность внедрения: Возможность использования фотопленок для регистрации. Сфера (область) использования: Нелинейная оптика. Изготовл. приемн. квантов высокоэнерг. излуч.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах