Стасив Н. И. Влияние магнитного поля на электронные и экситонные состояния в полупроводниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0498U002038

Облікова картка дисертації

0498U002038.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

30-01-1998

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Анотація

Объект исследования: Полупроводниковые гетероструктуры. Цель исследования: Изучение влияния магнитного поля на электронные состояния полупроводника и экситонные состояния в пленках и сверхрешетках. Методы исследования и аппаратура: Метод функций Грина, вариационные методы Ли-Лоу-Пайнса и Ритца. Теоретические результаты и новизна: Исследованы электронные, экситонные состояния в полупроводниковых гетеросистемах. Практические результаты и новизна: Полученная информация может быть использована в разработке полупроводниковых приборов. Предмет и степень внедрения: Использованные методы планируется внедрить в теорию поляронов. Эффективность внедрения: Дает возможность объяснить данные эксперимента. Сфера (область) использования: Полупроводниковое материаловедение.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах