Студенец В. И. Короткопериодные сверхрешетки полупроводников со структурой цинковой обманки на примере CdTe/HgTe и GaAs/AlAs

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0498U002159

Облікова картка дисертації

0498U002159.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

25-09-1998

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Анотація

Объект исследования: Короткопериодные полупроводниковые сверхрешетки. Цель исследования: Изучение фононных и электронных спектров. Методы исследования и аппаратура: Метод сильной связи, модель жестких ионов, теория групп. Теоретические результаты и новизна: Расчет фононного и электронного спектров и анализ их особенностей. Практические результаты и новизна: Возможность использования теоретических результатов для объяснения экспериментальных данных по фотолюминисценции сверхрешеток GaAs/AlAs. Предмет и степень внедрения: Теоретические разработки зависимости ширины запрещенной зоны и поведения интерфейсных и локальных колебательных мод в сверхрешетке. Эффективность внедрения: Прогнозирование физических свойств сверхрешеток. Сфера (область) использования: Полупроводниковые приборы.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах