Слипухина И. А. Лазерная спектроскопия кристаллов CdH2 тетрагональной модификации

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0498U002414

Облікова картка дисертації

0498U002414.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

14-10-1998

Спеціалізована вчена рада

К 32.051.01

Анотація

Объект исследования: Нелегированные и легированные Вi,Zn,Se монокристаллы вета-СdP2. Цель исследования: Исследование нелинейных оптических свойств и явлений, особенностей зонной структуры. Методы исследования и аппаратура: Лазерная спектроскопия. Теоретические результаты и новизна: Обнаружено и исследовано нелинейные оптические явления, особенности зонной структуры. Практические результаты и новизна: Реализован новый метод неразрущающей диагностики зонной структуры полупроводников. Предмет и степень внедрения: Усовершенствование электронных элементов и приборов на основе вета-СdP2. Эффективность внедрения: Подбор селективных по спектру нелинейных оптических материалов с повышенной оптической нелинейностью. Сфера (область) использования: Опто-, микро- и квантовая электроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах