Матеик Г. Д. Атомные дефекты в тонких пленках А1УВУ1

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0498U002415

Облікова картка дисертації

0498U002415.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

16-10-1998

Спеціалізована вчена рада

К 32.051.01

Анотація

Объект исследования: Тонкие пленки А1УВУ1. Цель исследования: Определение моделей создания преобладающих атомных дефектов тонких пленок монохалькогенидов свинца и телурида олова. Методы исследования и аппаратура: Исследование электрических свойств. Теоретические результаты и новизна: Определено преобладающий вид и зарядовое состояние атомных дефектов халькогенидов свинца и телурида олова. Практические результаты и новизна: Определение условий получения тонких пленок р-и n-типа. Предмет и степень внедрения: Разработанный способ создания р-n-переходов в пленках А1УВУ1 использован при проведении научных исследований в ВАТ "Родон". Эффективность внедрения: р-n-переходы фоточувствительны с проявной способностью D*80К=(3,81*10^10 -1,8*10^11)смГц^1/2B^-1. Сфера (область) использования: Микро-и оптоэлектроника, производство датчиков инфракрасного излучения.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах