Охріменко О. Б. Екситонні стани в шаруватих кристалах TIGaS2

Дисертація присвячена питанням дослідження оптичних властивостей кристалу TIGaS2 поблизу екситонних переходів. В ділянці температур 1.8-300 К досліджені спектри комбінаційного розсіювання (КР) світла, поглинання (1.8 К) і фотолюмінесценції (1.8 К) шаруватого кристалу TIGaS2. Вивчені їхні поляризаційні характеристики. Встановлена група симетрії кристалу - D2h' знайдені незвідні представлення екситонних зон. Показано, що екситон-фотонна взаємодія істотно впливає на характеристики спектрів екситонного поглинання. Наявність кореляції в коливальній структурі спектру люмінесценції і спектру КРС дозволила зв'язати люмінесценцію з випромінювальної рекомбінацією непрямого екситону. Виявлений антирезонанс Фано для основного стану прямого екситону. Це явище супроводжується автоіонізацією екситону, що в перспективі може бути використане в приборобудуванні.