Тарновський М. Г. Дослідження фотоелектричних властивостей арсенід-галлієвих польових транзисторів з бар'єром Шотткі та розробка оптоелектронних комутуючих пристроїв

Об'єкт дослідження - цифрові оптоелектронні комутуючі пристрої. Мета досліджень - розробка принципів побудови уніфікованого оптоелектронного комутаційного елемента, основаного на використанні оптичної чутливості арсенід-галлієвих польових транзисторів з бар'єром Шотткі (GaAs-ПТШ). Методи дослідження та апаратура - аналітичні, експериментальні, ПЕОМ, вимірювальні прилади.Теоретичні й практичні результати - розроблено математичні моделі статичних та динамічних характеристик оптично керованих GaAs-ПТШ; визначені принципи побудови на транзисторах такого типу оптоелектронних цифрових ключів та оптоелектронних логічних елементів на їх основі; розроблені рекомендації щодо апаратної реалізації високопродуктивного оптоелектронного комутаційного вузла, здатного організувати високошвидкісний обмін даними між віддаленими абонентами. Новітність нововпроваджуваного - підтверджується патентами України. Ступінь упровадження - в межах галузі. Сфера (галузь) використання - системи комутації даних, високошвидкісні цифр ові оптоелектронні пристрої.