Мішак О. О. Фото- i термоiндукованi перетворення в тонких шарах та багатошарових наноструктурах iз халькогенiдних стекол

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0499U002033

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

21-01-1999

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Об'їкт дослiдження: тонкi шари та багатошаровi наноструктури на основi свiтлочутливих халькогенiдних стекол для оптичного запису iнформацiє. Мета дослiдження: доведення впливу просторового структурування стекол, шарiв на основi систем As-S(Se,Te), в тому числi аморфного селену, на процеси фото- i термоiндукованих перетворень в них, а також встановлення умов оптичного запису iнформацiє в цьому типi реїструючих середовищ. Методи дослiдження та апаратура: електронна та атомно-силова мiкроскопiя, дифракцiя рентгенiвських променiв, дослiдження оптичного та iнфрачервоного поглинання, комбiнаційного розсiювання, вимiрювання параметрiв оптичного запису iнформацiє та релаксацiє оптичних рельїфiв в голографiчному режимi. Теоретичнi i практичнi результати, новiтнiсть нововпровадженого: Розроблена модель фотоiндукованих нестiйкостей, що формуються в квазiоднорiдному аморфному середовищi з випадковими флуктуацiями пiд дiїю зовнiшнього випромiнювання. Проведенi моделювання i розрахунки параметрiв процесiв запису опт ичних рельїфiв в наноструктурованому шарi. Розроблений новий тип свiтлочутливих плiвок для оптичного запису iнформацiє в реальному масштабi часу, параметри яких керуються геометрiїю наноструктури. Ступiнь упровадження: Плануїться. Сфера (галузь) використання: середовища для оптичного запису, створення оптичних голографiчних елементiв.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах