Кондрат О. Б. Формування гетероструктур Ge33As12Se55 - p-Si, механiчнi властивостi та особливостi переносу носiєв заряду в них

Об'єкт дослiдження: гетероструктура халькогенiдне скло Ge33As12Se55 - кристалiчний p-Si. Мета дослiдження: на основi розрахункiв та експериментальних дослiджень розкрити особливостi переносу i накопичення носїїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si, а також вплив на їх механiчнi властивостi технологiчних режимiв одержання плiвок, термообробки i високоенергетичного електронного опромiнення. Методи дослiдження та апаратура: лазерної iнтерферометрiї, вольт-амперних характеристик на постiйному i змiнному струмi, вольт-фарадних характеристик, просвiтлюючої електронної мiкроскопiї, Оже-електронної спектроскопiї, лазерний дилатометр, розривна машина. Теоретичнi i практичнi результати, новiтнiсть впроваджуваного: Показана можливiсть теоретичного визначення енергiї електронноє спорiдненостi багатокомпонентних халькогенiдних стекол. Вперше встановлений механiзм переносу носiїв заряду через гетероперехiд Ge33As12Se55 - p-Si в постiйних електричних полях. Розкрита роль поверхневих станiв на межi подiлу г етероструктури Ge33As12Se55 - p-Si i побудована схема її енергетичних зон iз врахуванням цих станiв. Оптимiзована технологiя виготовлення гетероструктур. Розроблений метод пошуку оптимальних складiв стекол, стiйких до високоенергетичного електронного опромiнення. Ступiнь упровадження: Планується. Сфера (галузь) використання: мiкро- та оптоелектронiка.