Мищишин О. Я. Рефракцiйнi властивостi кристалiв сульфатiв i селенатiв в областi фазових переходiв.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0499U002671

Облікова картка дисертації

0499U002671.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

13-10-1999

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Об'їкт дослiдження: Кристали (CH2NH2COOH)3*H2SO4, (CH3)2NH2Al(SO4)2*6H2O NH4HSeO4, K2SeO4. Мета дослiдження: вивчення поведiнки фiзичних властивостей кристалiв при фазових переходах. Методи дослiдження: поляризацiйно-оптичнi, дилатометричнi, дiелектричнi. Теоретичнi i практичнi результати, новизна: Запропонована нова методика оптико-iнтерференцiйних дослiджень кристалiв. Дослiджено новi прояви сегнетоелектричних фазових переходiв кристалiв на єх фiзичних властивостях. Ступiнь впровадження: Результати використанi у Львiвському державному унiверситетi iм. Iвана Франка при рефракцiйних дослiдженнях нових кристалiчних матерiалiв. Сфера впровадження: фiзика фазових переходiв у кристалах, рефрактометрiя .

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах