Кладько В. П. Вплив точкових дефектів і їх асоціацій на розсіювання рентгенівських променів реальними кристалами напівпровідників

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0500U000146

Облікова картка дисертації

0500U000146.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

22-05-2000

Спеціалізована вчена рада

Д26.001.23

Анотація

Досліджено процеси розсіювання рентгенівських променів в кристалах, що містять дефекти структури, а також відхилення хімічного складу від стехіометричного. Вперше встановлено динамічний характер розсіювання рентгенівських променів (маятникові осциляції інтенсивності, погасання ефекту Бормана) для квазізаборонених рефлексів в умовах сильного впливу явищ аномальної дисперсії. Впровадження доцільно в напівпровідниковому матеріалознавстві.

Читати повністю

Схожі дисертації

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів

0521U102118

Корнющенко Ганна Сергіївна

Структуроутворення і фізичні властивості близькорівноважних металевих, оксидних та багатокомпонентних конденсатів з нанорозмірними елементами