Клюй М. І. 1. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи.

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0500U000260

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

25-09-2000

Спеціалізована вчена рада

Д26.001.23

Анотація

1. Досліджено властивості тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи та механізми їх зміни під дією напружень, йонних і комбінованих обробках. Встановлено механізми йонно-стимульованого формування Si-структур з прихованими діелект-ричними і напівпровідниковими шарами. Вивчено властивості і процеси релаксації напружень в йонно-модифікованих вуглецевих і плівках Si-Ge. Спостерігалось покращення параметрів сонячних елементів і пористого кремнію після осадження вуглецевих плівок.

Файли

Схожі дисертації

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів

0521U102118

Корнющенко Ганна Сергіївна

Структуроутворення і фізичні властивості близькорівноважних металевих, оксидних та багатокомпонентних конденсатів з нанорозмірними елементами