Ткачук П. М. Особливості електронних процесів у ZnSe i CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів.

Робота присвячена дослідженню особливостей електронних процесів у сполуках AIIBVI, які обумовлюються гетеровалентним заміщенням компонентів, а саме: формуванням DX(AX)- подібних центрів, утворенням твердих розчинів типу АIIВVI-АIIIВV, наявністю фонових домішок.У роботі розвивається перспективний напрямок фізики твердого тіла, пов'язаний з переходом мілкий-глибокий рівень в результаті перебудови кристалічної гратки навколо атома домішки при гетеровалентному легуванні кристалів. Результати роботи є також важливими для розвитку наукових основ створення детекторів іонізуючого випромінювання.Вперше проведено експериментальне дослідження електронної структури монокристалів ZnSe <As>, ZnSe <Ga> i CdTe <Cl>, котре узгоджується з сучасними уявленнями про природу центрів AsSe, GaZn i ClTe, теоретичними моделями їх конфігурації та розрахунками енергетичного спектра.Розроблено модель неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe-GaAs зі складом поблизу ZnSe, досліджено механізми рентгенолюмінесценції тар ентгеночутливості.Вивчено вплив нестехіометрії та фонових домішок на домішково-дефектну структуру телуриду кадмію, отримано нову інформацію про супутні дефекти - VTe, TeCd i френкелівську пару VTe-Tei.Вивчено вплив технологічної домішки вуглецю на електрофізичні параметри, механізми комплексоутворення і компенсації у напівізолюючих кристалах CdTe <Cl> та детекторні характеристики матеріалу.На основі монокристалів CdTe <Cl> створено макет детектора-дозиметра гамма-квантів та спектрометричні детектори ядерного випромінювання.