Стронський О. В. Фотостимульовані процеси в халькогенідних склоподібних напівпровідниках та їх застосування для отримання голограмних оптичних елементів

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0501U000375

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-10-2001

Спеціалізована вчена рада

Д26.199.02

Анотація

Об'єкти дослідження: тонки плівки As-S-Se. Мета роботи: встановлення особливостей фотостимульованих процесів в тонких шарах халькогенідних склоподібних напівпровідників, розробка фізико-технологічних основ їх практичного застосування як реєструючих середовищ в голографії, у тому числі для отримання голограмних оптичних елементів. Основні методи досліджень: оптичні методи, комбінаційне розсіяння, електронна і атомно-силова мікроскопія. Основні результати: Досліджено оптичні властивості, спектри комбінаційного розсіювання, фотоструктурні перетворення, селективне травлення у шарах As-S-Se. Композиційні залежності оптичних властивостей в області прозорості та краю поглинання та їх еволюція під дією зовнішніх чинників (опромінення світлом або відпал) проаналізовані в рамках одноосциляторної моделі та моделі Пена. Розглянуто особливості механізму незворотніх фотоструктурних перетворень. Розроблено основи застосування реєструючих середовищ на основі шарів As-S-Se для голографії та технології отримання гологр амних оптичних елементів з використанням таких реєструючих середовищ. Значення дифракційної ефективності відбиваючих рельєфно-фазових граток, що отримані на основі шарів As-S-Se, близькі до теоретичної межі.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах