Гетероструктури на основі сполук А3B5 (GaN/GaAs; GaN/por-GaAs) і А2B6 (ZnO/ZnSe; ZnO/ZnS:Mn). Методи досліджень: скануюча електронна мікроскопія, рентгенівська дифрактометрія, фотолюмінесценція, електролюмінесценція, математичне моде-лювання процесів дефектоутворення, вторинно-ioнна мас-спектроскопія, рентге-нівська фотоелектронна спектроскопія, растрова електронна мікроскопія, спектральний аналіз, комбінаційне розсіювання світла, електронна спектроскопія для хімічного аналізу, електроний парамагнітний резонанс. Наукова новизна отриманих результатів. У результаті комплексних експериментальних та теоретичних досліджень фізико-технологічних аспектів формування гетероструктур на основі сполук А3B5 та А2B6 вперше отримано такі результати: Створено та аналітично і чисельно розраховано моделі процесів росту тонких епітаксійних плівок GaN при нітридизації GaAs; Розроблено та експериментально досліджено фізико-технологічні основи процесів нітридизації монокристалічного GaAs шляхом обробки його збудженими атомами азоту; Вперше отримано нанопоруваті шари GaAs як n-, так і p-типу, а також встановлено їх морфологічні та люмінесцентні властивості; Встановлено вплив морфології поруватої підкладки GaAs і параметрів нітридизації на механічні напруження у плівках GaN, а також на їх люмінесцентні властивості; Експериментально виявлено особливості випромінювальних властивостей епітаксійних плівок GaN, отриманих відпалом поруватих і монокристалічних підкладок GaAs в потоці збуджених атомів азоту; Встановлено вплив параметрів відпалу в потоці атомарного азоту на люмінесцентні властивості низькоомних кристалів р-GaN:Zn, виявлено нові смуги фотолюмінесценції та встановлено участь кисню в їх формуванні; Експериментально показано, що плівки GaN кубічної сингонії формуються на поруватих (001) -підкладках GaAs, а гексагональної сингонії - на поруватих (111)-підкладках GaAs: Встановлено механізм дефектоутворення в плівках ZnS:Mn під час обробки в атомарному кисні, який включає не тільки витягування іонів цинку на поверхню і супроводжується генерацією VZn, але й дифузію іонів кисню вглиб плівки з утворенням там ізовалентних пасток [Os2-]O та їх комплексів з іонами Mn2+. Практична цінність результатів роботи: Розроблено фізико-технологічні основи процесів нітридизації підкладок GaAs в атомарному азоті та створено експериментальнo технологічну базу для отримання гетероструктур: GaN/GaAs; GaN/por-GaAs (111); GaN/por-GaAs (001); Розроблено та апробовано нову технологію вирощування тонких плівок GaN з мінімальними механічними напруженнями, що дозволить збільшити термін служби приладів на основі GaN; проведено оптимізацію процесів виробництва тонкоплівкових електролюмінесцентних структур на основі ZnS:Mn шляхом низькотемпературної обробки їх у потоці атомарного кисню, що веде до зниження порогової напруги та покращення симетричності хвиль яскравості; продемонстровано можливість отримання різних кольорів випромінювання одного й того самого люмінесцентного шару ZnS:Mn, обробленого в потоці атомарної сірки, який містить не один, а декілька центрів випромінювання різного типу. При цьому зміна умов збудження ектролюмінесценції призводить до зміни кольору випромінювання звичайної п'ятишарової МДНДМ структури. Сферою використання є мікроелектроніка.
