Надточій В. О. Мікропластичність алмазоподібних кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs)

Об'єкт - Si, Ge, GaAs, InAs з дислокаціями і без них; мета - встановити фізичні закономірності і виявити структурно-кінетичні особливості низькотемпературної (при Т < 0,35Tпл) мікропластичної деформації приповерхневих шарів алмазоподібних кристалів при малих і середніх рівнях напружень (? 400 МПа); методи - мікроіндентування поверхні, одноосьове навантаження (однократне, циклічне, програмоване, у тому числі з ультразвуковим опроміненням), лазерне опромінення; використання оптичної та електронної мікроскопії, рентгеноструктурний аналіз; новизна - вперше показано, що при низьких температурах деформації рух дислокацій спостерігається лише у тонких приповерхневих шарах кристалів і зумовлений їх переповзанням; результати - проаналізовано гетерогенний механізм зародження дислокацій, виявлена анізоторопія мікропластичності у кристалах Ge, досліджено вплив дислокацій на електричні властивості Ge і Si p-n-переходів, запропонована нова модель утворення періодичної структури дислокацій при лазерному опроміненні Ge, розроблені комп'ютерні програми для розрахунку температурних полів на поверхні Ge в околі лазерної плями та часу життя нерівноважних носіїв заряду, інжектованих через дефектний приповерхневий шар углиб кристала; галузь - фізика твердого тіла