Омельченко С. О. Фізичні властивості кристалів сульфіду та селеніду цинку з дислокаціями

Об'єкт - кристали сульфіду та селеніду цинку з дефектами структури. Предмет - дислокації та інші дефекти, які визначають структуру та властивості досліджуваних об'єктів; ефекти, пов'язані з електричною активністю нерухомих дислокаціях. Мета - виявлення ролі часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах ZnS та ZnSe, вивчення змін фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій. Методи: ЕПР-спектроскопія, Фотолюмінесценція, ТСД. Доведено, що формування структури кристалів ZnS відбувається в результаті мартенситних перетворень. У кристалах ZnSe виявлений невідомий для сполук типу А2В6 вид дефектів - тетраедри дефектів упаковки. Виявлено й досліджено ефект стимульованого пластичною деформацією аномального збільшення електричної провідності кристалів ZnS і ZnSe. Доведено, що при зсуві ростових дислокацій в атмосферах Коттрелла відбувається збільшення їхньої електричної активності, що пояснює особливості різних властивостей кристалів ZnS, спостережувані в області малих деформацій. Пропонується один з механізмів деградації електролюмінесцентних властивостей досліджуваних матеріалів. Встановлено факт збільшення електричного заряду нерухомих дислокацій при збудженні електронної підсистеми кристалів ZnS.