Галій П. В. Електронні властивості та мікро- і наноструктура поверхонь галогенідів цезію й селенідів індію.

В дисертації дослідженні електронні властивості та особливості мікро- і наноструктури поверхонь галогенідів цезію й селенідів індію. Одержані нові результати, які поля-гають: у встановленні взаємозв'язку структури поверхонь галогенідів цезію та селенідів індію (дефекти, мікро- та наноструктура) і їх електронних властивостей; виявляють особливості кінетики радіаційного дефекто- та фазоутворення на поверхні галоїдів це-зію при їх опромінені, а також релаксаційних електронних процесів. Досліджена радіа-ційна стійкість поверхонь галоїдів цезію та показаний паралелізм релаксацій дефектно-іонної та електронної підсистем. Встановлені граничні густини радіаційного потоку та дози опромінення при яких має місце накопичення радіаційних дефектів і радіоліз пове-рхонь з особливими нано- та мікроутвореннями. Вперше проведено комплексні дослід-ження (ДПЕ, АСМ/АСС, СТМ/СТС, РЕМ, РФЕС, УФЕС/УФЕСКР) атомної та зонної структури, топографії поверхонь (100) чистих і інтеркальованих ШК In4Se3, формування міжфазових меж і поверхневих фаз та встановлені: структурні та електронні особливос-ті поверхонь і природа електронних локалізованих станів; анізотропія зонної структури та електронних спектрів поверхонь кристалів; особливості поверхневих фазових та між-фазових утворень з метою створення на цій основі засад технології формування поверх-невих наноструктур.