Новіков С. М. Моделювання Х-променевих топографічних зображень дефектів у реальних кристалах Si
English versionДисертація на здобуття ступеня доктора наук
Державний реєстраційний номер
0511U000061
Здобувач
Спеціальність
- 01.04.07 - Фізика твердого тіла
27-11-2010
Спеціалізована вчена рада
Д 76.051.01
Анотація
Файли
Схожі дисертації
0424U000065
Мазур Дмитро Вікторович
Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду
0523U100214
Олійник Сергій Володимирович
Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів
0522U100045
Богданов Євген Іванович
Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії
0522U100002
Владимирський Ігор Анатолійович
Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів
0521U102118
Корнющенко Ганна Сергіївна
Структуроутворення і фізичні властивості близькорівноважних металевих, оксидних та багатокомпонентних конденсатів з нанорозмірними елементами