Фечан А. В. Рідкокристалічна електроніка на основі ефекту холестерико-нематичного переходу

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0511U000088

Облікова картка дисертації

0511U000088.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.12.20 - Оптоелектронні системи

28-12-2010

Спеціалізована вчена рада

Д 35.052.12

Національний університет "Львівська політехніка"

Анотація

Дисертація присвячена проблемі створення планарних рідкокристалічних світловодних структур на основі ефекту холестерико-нематичного переходу для елементів і пристроїв рідкокристалічної електроніки. В роботі проведено дослідження електрооптичних, пружних, в'язкісних властивостей індукованих холестериків з малим (до 6%) та великим вмістом хіральної компоненти. Проведено комп'ютерне моделювання та експериментальне дослідження деформації поля директора та розподілу показника заломлення гомеотропно орієнтованого шару РК з планарно орієнтованою серцевиною.

Читати повністю

Файли

Dysertacija_Fechan.doc

Dysertacija_Fechan.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0417U000718

Корнага Василь Ігорович

Методи та засоби побудови інтелектуальних систем освітлення на основі синтезу білого світла із заданими спектральними характеристиками

0415U000774

Багачук Денис Геннадійович

Компенсація поляризаційної модової дисперсії на основі одномодового оптичного волокна з анізотропними властивостями

0513U000583

Манько Олександр Олексійович,

Створення ефективних пристроїв оптичного зв'язку та методів їх дослідження

0413U002599

Труш Олександр Вікторович

Покращення показників якості системи управління записом-відтворенням інформації з магнітооптичних носіїв

0413U001701

Возняк Леся Юріївна

Світловипромінювальні структури на основі трихінолінату алюмінію (Alq3), модифіковані нанорозмірними плівками похідного піразоліну та йодиду міді.