Адамів В. Т. Ізовалентно заміщені борати літію і барію: синтез, структурні особливості та фізичні властивості

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0512U000348

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-04-2012

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню ізовалентного та ізотопного заміщення на фізичні властивості безводних боратів - тетраборату літію (Li2B4O7) та метаборату барію (ВаВ2О4), котрі визначені, як базові. Встановлено, що в системах Li2B4O7-А2B4O7 та BaB2O4-МB2O4 відсутні області твердих розчинів, але в першій системі існують потрійні сполуки. Розроблені технології синтезу та росту оптично якісних монокристалів Li2(1-х)А2хB4O7 і Ba1-хМхB2O4, де A = K, Cu, Ag, Cs, Au і M = Mg, Ca, Zn, Sr, Cd; трикомпонентних сполук LiKB4O7 та LiCsB6O10; ізотопно збагачених кристалів: 7Li211В4О7, 6Li210В4О7, 7Li210В4О7, 6Li211В4О7. Продемонстровано суттєві зміни властивостей ізовалентно та ізотопно заміщених кристалів боратів, зокрема: в LiKB4O7 існує напрям фазового синхронізму ГДГ; в Ba0.997Sr0.003B2O4 вдвічі вищий поріг променевої стійкості і високі значення акустооптичних коефіцієнтів; Li2(1-x)Cu2xB4O7, збагачені ізотопами 6L i 10В, проявляють підвищену чутливість до теплових нейтронів. Ці кристали запропоновано для практичного застосування, - як детектори і дозиметри теплових нейтронів, акустооптичний модулятор світла для потужного лазерного випромінювання. Показано залежність механізму утворення радіаційних дефектів під дією нейтронів від ізотопного складу боратів. Експериментально встановлено наявність в тетрабораті літію ростових дефектів - кисневих і літієвих вакансій, які виступають електронними і дірковими пастками та уточнено природу коливних спектрів. Нейтронографічним методом остаточно доказано відсутність структурних фазових переходів в боратах літію.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах