Ільченко В. В. Електрофізичні властивості напівпровідникових гетероструктур з шарами квантових точок та квантових ям

Показано, що за допомогою методів спектроскопії повної провідності (СПП) та релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів (РСГР) можна проводити ефективну діагностику структур з квантовими точками (КТ). Вперше експери-ментально спостерігався ефект негативної диференціальної ємності (НДЄ) при кімнатних температурах, передбачений теоретичними розрахунками. Запропоно-вано новий метод визначення ряду параметрів КТ. Вивчено вплив попередньої обробки поверхні Si атомами B(бора) на формування Ge КТ в Si. Досліджено особливості ефекту запам'ятовування в структурах з нанокластерами Si в SiO2. Показано, що накопичення заряду в шарах InAs КТ, розміщених поблизу 2D каналу на гетерограниці GaAs/AlGaAs, веде до виникнення ефекту НДЄ на ВФХ між затвором та витоком FET структур. Досліджено вплив перезарядки InAs КТ на перехідні характеристики цих структур. Встановлено існування характерної для тунельно-резонансного транспорту нелінійності прямої гілки ВАХ для двобар'єрних гетероструктур AlGaAs/GaAs з бар'єром Шотткі. Вияв-лено специфічні властивості світлодіодних GaN(Eu3+)/InGaN гетероструктур.