Гайдар Г. П. Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge

Дисертація присвячена вивченню закономірностей впливу ядерного опромінення та теплових полів на кінетичні ефекти і процеси дефектоутворення в кристалах Si і Ge. На основі одержаних експериментальних даних і результатів розрахунків процесів відпалу точкових дефектів в опромінених кристалах досліджено різні механізми взаємодії радіаційних дефектів між собою, з легуючими і фоновими домішками та запропоновано відповідні реакції, які пояснюють процеси трансформації дефектів; встановлено методи підвищення радіаційної стійкості кремнію при опроміненні швидкими нейтронами реактора; запропоновано для n-Ge метод визначення важко вимірюваного в дослідах тензоопору розтягу за експериментальними даними тензоопору стиску, що вимірюється досить просто і надійно; виявлено особливості змін параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термоерс у кристалах n-Si в залежності від способу легування домішкою фосфору та різних термообробок; пояснено більш низькі значення параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термоерс в n-Si у порівнянні з n-Ge; встановлено особливості концентраційних залежностей параметрів анізотропії рухливості та анізотропії термоерс в кристалах n-Si та n-Ge; запропоновано метод визначення ступеня компенсації для домішок мілкого залягання у кристалах n-Si з невиродженим електронним газом та розраховано номограми, які забезпечують зручність практичного використання цього методу.