Вайнберг В. В. Явища переносу у напівпровідникових селективно легованих гетероструктурах з різним типом квантових ям.

Проведені експериментальні дослідження і аналіз механізмів електропровідності, гальваномагнітних та фотоелектричних явищ в селективно легованих гетероструктурах на основі Ge-Si і напівпровідникових сполук А3В5 з різними типами квантових ям (КЯ) і -шарами домішки в КЯ або прилеглих шарах бар'єру. Зроблені чисельні розрахунки енергетичного спектра та рухливості електронів, просторового розподілу зарядів, величини магнітоопору. На їх основі побудовані моделі, що пояснюють поведінку електронного газу в рівноважних умовах та в умовах розігріву сильним латеральним електричним полем, в сильних магнітних полях. Проаналізована роль домішкової зони у формуванні енергетичного спектра електронів, її вплив на явища переносу в структурах з -шарами домішки в області КЯ. Досліджена залежність параметрів мілкої домішки від її положення в КЯ. Досліджені електричний і магнітотранспорт в деяких об'ємних напівпровідникових, полімерних та вуглецевих матеріалах, запропоновані моделі їх низькотемпературної провідності та перспективи використання для кріогенних сенсорів.